5月6日，据媒体报道，美国宾夕法尼亚大学的研究团队近日成功开发了一款全新耐高温存储设备，该设备能在高达600℃的极端环境下稳定运行，确保存储的数据安全无虞。
这款耐高温存储设备的核心在于其独特的制造材料——氮化铝钪（AIScN）。据研究团队成员Deep Jariwala介绍，氮化铝钪具有出色的化学稳定性，其强大的化学键能在高温下保持结构的完整性和功能性，这使得该设备在面对高温挑战时展现出超凡的耐用性。
设备的内部结构采用了“金属-绝缘体-金属”的经典设计，其中，一层45nm厚的氮化铝钪（AIScN）作为绝缘层，巧妙地将金属镍电极和金属铂电极结合在一起，这层氮化铝钪的厚度是设备成功的关键。
Jariwala解释说：“氮化铝钪的厚度需经过精心控制，太薄会导致材料在高温下过于活跃而退化，而太厚则会削弱其铁电开关性能，进而影响设备的工作效率。”
这项技术不仅是对材料科学的突破，更是对当前芯片架构设计的一次重大革新。Jariwala指出，传统的芯片架构中，中央处理器和内存是分离的，这导致了数据传输的延迟和效率低下。
尤其在处理大数据的AI应用程序中，这种缺陷更为明显。而这款耐高温存储设备通过允许内存和处理器更紧密地集成在一起，极大地缩短了数据传输时间，从而提升了计算速度、复杂性和效率。这种设计理念被研发团队称为“内存增强计算”。
展望未来，这款耐高温存储设备有望在AI系统建设中发挥重要作用。其卓越的耐高温性能和高效的计算效率，将有助于提高AI系统的运行稳定性和计算效率，为人工智能领域的发展注入新的活力。
