纳秒级写入、超万亿次擦写!中国实现SOT-MRAM存储关键突破

2024-12-27 16:48

来源:快科技 作者:小丽

  12月27日,据媒体报道,在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上,来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM(自旋轨道矩磁性随机存取存储器)技术进展,解决了该技术在大规模生产中面临的主要挑战。

  驰拓科技首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构,显著降低了SOT-MRAM工艺流程的复杂性和难度,并从原理上提升了器件良率。

  该结构的创新之处在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间,并允许过刻蚀,从而大幅度增加了刻蚀窗口,降低了刻蚀过程的难度。

  这一突破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%提升至超过99.9%,达到了大规模制造的要求。

  同时,该器件实现了2纳秒的写入速度,超过1万亿次的写入/擦除操作次数(测量时间上限),并且具备持续微缩的潜力。

纳秒级写入、超万亿次擦写!中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破

传统方案

纳秒级写入、超万亿次擦写!中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破

驰拓科技创新方案

  据了解,SOT-MRAM拥有纳秒级写入速度和无限次擦写次数,是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术,有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。

  不过SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性,特别是传统方案从原理上导致刻蚀良率低,严重制约了其大规模生产与应用。

我来说两句 0条评论 0人参与,

推荐阅读

呼之欲出的算力!5090 PCB设计泄露

发布于

东莞超级独角兽,要IPO了

发布于